规格书 |
MJE5730, 31(A) |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 50 |
晶体管类型 | PNP |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 1A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 375V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 1V @ 200mA, 1A |
电流 - 集电极截止(最大) | 1mA |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 30 @ 300mA, 10V |
功率 - 最大 | 40W |
频率转换 | 10MHz |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220AB |
包装材料 | Tube |
包装 | 3TO-220AB |
类型 | PNP |
引脚数 | 3 |
最大集电极发射极电压 | 375 V |
集电极最大直流电流 | 1 A |
最小直流电流增益 | 30@300mA@10V|10@1A@10V |
最大工作频率 | 10(Min) MHz |
最大集电极发射极饱和电压 | 1@0.2A@1A V |
最大集电极基极电压 | 350 V |
工作温度 | -65 to 150 °C |
最大功率耗散 | 40000 mW |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Rail / Tube |
集电极最大直流电流 | 1 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
标准包装名称 | TO-220 |
最低工作温度 | -65 |
最大功率耗散 | 40000 |
最大基地发射极电压 | 5 |
Maximum Transition Frequency | 10(Min) |
封装 | Rail |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大集电极基极电压 | 350 |
供应商封装形式 | TO-220AB |
最大集电极发射极电压 | 375 |
铅形状 | Through Hole |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 1A |
晶体管类型 | PNP |
安装类型 | Through Hole |
频率 - 转换 | 10MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 1V @ 200mA, 1A |
电流 - 集电极截止(最大) | 1mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 375V |
供应商设备封装 | TO-220AB |
功率 - 最大 | 40W |
封装/外壳 | TO-220-3 |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 30 @ 300mA, 10V |
其他名称 | MJE5731AGOS |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 50 |
增益带宽产品fT | 10 MHz |
产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
晶体管极性 | PNP |
发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
直流集电极/增益hfe最小值 | 30 |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 375 V |
安装风格 | Through Hole |
集电极 - 基极电压VCBO | 350 V |
最低工作温度 | - 65 C |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 150 C |
RoHS | RoHS Compliant |
集电极电流( DC)(最大值) | 1 A |
集电极 - 基极电压 | 350 V |
集电极 - 发射极电压 | 375 V |
发射极 - 基极电压 | 5 V |
频率(最大) | 10 MHz |
功率耗散 | 40 W |
工作温度范围 | -65C to 150C |
包装类型 | TO-220AB |
元件数 | 1 |
直流电流增益(最小值) | 30 |
工作温度分类 | Military |
弧度硬化 | No |
频率 | 10 MHz |
集电极电流(DC ) | 1 A |
直流电流增益 | 30 |
Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :375V |
功耗 | :2W |
DC Collector Current | :1A |
DC Current Gain hFE | :10 |
Operating Temperature Min | :-65°C |
Operating Temperature Max | :150°C |
Transistor Case Style | :TO-220 |
No. of Pins | :3 |
MSL | :- |
SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
Alternate Case Style | :SOT-78B |
Application Code | :PHVS |
Av Current Ic | :1A |
Collector Emitter Voltage Vces | :1V |
连续集电极电流Ic最大 | :1A |
Current Ic @ Vce Sat | :1A |
Current Ic Continuous a Max | :1A |
Current Ic hFE | :1mA |
Device Marking | :MJE5731A |
Full Power Rating Temperature | :25°C |
Gain Bandwidth ft Min | :10MHz |
Gain Bandwidth ft Typ | :10MHz |
Hfe Min | :10 |
Junction Temperature Tj Max | :150°C |
Junction Temperature Tj Min | :-65°C |
No. of Transistors | :1 |
Power Dissipation Ptot Max | :2W |
Voltage Vcbo | :375V |
Voltage Vce Sat @ Ic NPN Max | :1V |
Voltage Vceo Max | :375V |
Voltage Vces | :375V |
Weight (kg) | 0.002 |
Tariff No. | 85412900 |
associated | SK 409/254 STS SK 409/508 STS SK 145/375 STS-220 MK3311 MK3306 MK3306/S More> |
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